Transistor de potencia MOSFET canal N de conmutación rápida, FQP75N08A
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 80V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 20V
Corriente continua de Drain es 70A
Recuperación de diodo pico dv/dt es 4.5V/ns
Potencia de disipación es 137W
Resistencia Drain a Source máxima es 0.017Ω
Carga total de Gate es 80nC
Tiempo de retardo de apagado es 273ns
Tiempo de retardo de encendido es 43ns
Tiempo de recuperación inversa es 62ns