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Mosfet Canal N De 500V 8A To220 IRF840
MOSFET canal N, 500V, 8A, 850m?
$3,275 + iva
Transistor de potencia MOSFET canal N de conmutación rápida, IRF840
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 500V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 20V
Corriente continua de Drain es 8A
Recuperación de diodo pico dv/dt es 3.5V/ns
Potencia de disipación es 125W
Resistencia Drain a Source máxima es 850mΩ
Carga total de Gate es 63nC
Tiempo de retardo de apagado es 49ns
Tiempo de retardo de encendido es 14ns
Tiempo de recuperación inversa es 460ns
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 500V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 20V
Corriente continua de Drain es 8A
Recuperación de diodo pico dv/dt es 3.5V/ns
Potencia de disipación es 125W
Resistencia Drain a Source máxima es 850mΩ
Carga total de Gate es 63nC
Tiempo de retardo de apagado es 49ns
Tiempo de retardo de encendido es 14ns
Tiempo de recuperación inversa es 460ns
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