Semiconductores
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Transistores
Transistor De Silicio NPN Encapsulado TO-39 2N3019
2N3019 – Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 80 V, 400 MHz, 800 mW, 1 A, 300 hFE.
El 2N3019 es un transistor de silicio complementario de 80V NPN, corriente de colector 1A, encapsulado TO-39, diseñado principalmente para aplicaciones de amplificación y conmutación. El transistor NTE128 presenta altos voltajes de ruptura, bajas corrientes de fuga, baja capacidad y una versión beta útil en un rango de corriente extremadamente amplio.
SKU: 2N3019 -
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Transistores
IRF740F Mosfet Canal N 10A 400V 0,55 Ohm TO220
El MOSFET IRF740 es un componente electrónico fundamental en electrónica moderna. Como MOSFET de canal N, amplifica y conmuta señales eléctricas con eficiencia. Su encapsulado TO-220 ofrece practicidad con tres pines de conexión. Con una corriente de drenaje continua de 10A y un voltaje de drenaje a fuente de 400V, demuestra robustez en diversas aplicaciones. La resistencia de encendido de 0.55Ω y voltaje umbral de encendido de 20V garantizan un rendimiento eficiente. Sus especificaciones, como temperatura de operación de -55°C a 150°C, lo hacen versátil y confiable para amplificación, interruptores electrónicos y reguladores de voltaje, siendo esencial en circuitos integrados (ICs).
SKU: IRF740F -
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Otros Circuitos Integrados
74HC541N Buffer Octal y Driver de Línea con Salidas de 3 Estados
El 74HC541N es un buffer/driver de línea octal con salidas de 3 estados, diseñado para aplicaciones de alta velocidad y bajo consumo de energía. Fabricado con tecnología CMOS de puerta de silicio, ofrece una operación rápida similar a TTL bipolar Schottky, manteniendo baja disipación de potencia. Este dispositivo es ideal para ser usado como controlador de memoria y dirección, controlador de reloj y transmisor/receptor orientado a bus. Con protección de entrada para evitar daños por diferencias de voltaje, es compatible con sistemas de 5V y 3V, y proporciona alta inmunidad al ruido.
SKU: 74HC541N
