- Polaridad del transistor: Canal N
- Intensidad drenador continua Id: 200 mA
- Voltaje de drenaje fuente Vds: 60 V
- Resistencia de activación RDS (on): 1.2 ohms
- Tensión Vgs de medición Rds (on): 10 V
- Tensión Umbral Vgs: 2.1 V
- Disipación de potencia Pd: 400 mW
- Temperatura de operación máxima: 150°C
- Encapsulado TO-92
- 3 pines.
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