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IRF740 Mosfet Canal N 10A 400V 0,55 Ohm TO220
El MOSFET IRF740 es un componente electrónico fundamental en electrónica moderna. Como MOSFET de canal N, amplifica y conmuta señales eléctricas con eficiencia. Su encapsulado TO-220 ofrece practicidad con tres pines de conexión. Con una corriente de drenaje continua de 10A y un voltaje de drenaje a fuente de 400V, demuestra robustez en diversas aplicaciones. La resistencia de encendido de 0.55Ω y voltaje umbral de encendido de 20V garantizan un rendimiento eficiente. Sus especificaciones, como temperatura de operación de -55°C a 150°C, lo hacen versátil y confiable para amplificación, interruptores electrónicos y reguladores de voltaje, siendo esencial en circuitos integrados (ICs).
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IRF740 Mosfet Canal N 10A 400V 0,55 Ohmios TO220, un MOSFET (Transistor de Efecto de Campo Metal-Oxido-Semiconductor, por sus siglas en inglés) es un tipo de transistor utilizado en electrónica para amplificar o conmutar señales eléctricas. Pertenece a la familia de transistores de efecto de campo y se utiliza comúnmente en circuitos electrónicos debido a su eficiencia y capacidad de conmutación rápida. El MOSFET tiene tres terminales principales: compuerta (gate), surtidor (source) y drenador (drain).
Existen dos tipos básicos de MOSFET: de canal N (N-MOS) y de canal P (P-MOS), dependiendo del tipo de carga que transportan los portadores de carga (electrones para N-MOS, huecos para P-MOS). La operación del MOSFET se basa en la aplicación de un voltaje en la compuerta para controlar el flujo de corriente entre el surtidor y el drenador.
Los MOSFET se utilizan en una variedad de aplicaciones, como amplificación de señales, interruptores electrónicos, reguladores de voltaje, y en la construcción de circuitos integrados (ICs). Su capacidad para conmutar rápidamente y su eficiencia en términos de consumo de energía los hace fundamentales en la electrónica moderna.
Características
- Tipo de Dispositivo: MOSFET de Canal N
- Encapsulado: TO-220 (con tres pines para conexión).
- Corriente de Drenaje Continua (ID): Aproximadamente 10 amperios (dependiendo de las condiciones de operación y disipación de calor).
- Voltaje de Drenaje a Fuente (VDS): 400V – Esto es el voltaje máximo que puede soportar el dispositivo entre el drenador y el surtidor.
- Resistencia de Encendido (RDS (on)) 0.55Ω: Especifica la resistencia efectiva del MOSFET cuando está encendido.
- Voltaje Umbral de Encendido (VGS (th)) 20V: Voltaje necesario en la compuerta para iniciar la conducción.
Especificaciones del IRF740 Mosfet Canal N 10A 400V 0,55 Ohmios TO220
- Corriente de Drenaje (ID): 10A.
- Voltaje de la Compuerta al Surtidor (VGS): ± 20V
- Temperatura de Operación rango de -55°C a 150°C.
- Mosfet de potencia canal N
- VDSS 400 V
- RDS (on) 0.55 Ω
- PW 134 W
- Encapsulado TO220
- Tensión umbral Vgs: 4 V
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