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Lun. a Vie.
8:00am – 5:30pm
Sábados.
8:30am – 1:00pm
Mosfet Canal N 200V 9A 350mΩ To220 IRF630
MOSFET canal N, 200V, 9A, 350mΩ.
$2,470 + iva
Transistor de potencia MOSFET canal N, IRF630
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 200V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 20V
Corriente continua de Drain es 9A
Recuperación de diodo pico dv/dt es 5V/ns
Potencia de disipación es 75W
Resistencia Drain a Source máxima es 350mΩ
Carga total de Gate es 31nC
Tiempo de retardo de encendido es 10ns
Tiempo de recuperación inversa es 170ns.
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