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IXFV52N30P
MOSFET canal N, 300V, 52A, 66m?
$22,660 + iva
Agotado
Transistor de potencia MOSFET canal N, IXFV52N30P
Encapsulado PLUS220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 300V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 20V
Corriente continua de Drain es 52A
Recuperación de diodo pico dv/dt es 10V/ns
Potencia de disipación es 400W
Resistencia Drain a Source máxima es 66mΩ
Carga total de Gate es 110nC
Tiempo de retardo de apagado es 60ns
Tiempo de retardo de encendido es 24ns
Tiempo de recuperación inversa es 160ns
Encapsulado PLUS220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 300V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 20V
Corriente continua de Drain es 52A
Recuperación de diodo pico dv/dt es 10V/ns
Potencia de disipación es 400W
Resistencia Drain a Source máxima es 66mΩ
Carga total de Gate es 110nC
Tiempo de retardo de apagado es 60ns
Tiempo de retardo de encendido es 24ns
Tiempo de recuperación inversa es 160ns
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