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Lun. a Vie.
8:00am – 5:30pm
Sábados.
8:30am – 1:00pm
IRFP460
Transistor de potencia MOSFET canal N, voltaje Drain-Source 500V, resistencia Drain-Source 270mΩ
$37,930 + iva
Transistor de potencia MOSFET canal N de conmutación rápida, IRFP460
Encapsulado TO-247AC de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) 500V
Voltaje de Gate a Source (GS) ± 20V
Corriente continua de Drain 20A
Recuperación de diodo pico dv/dt 3.5V/ns
Potencia de disipación 280W
Resistencia Drain a Source máxima 270mΩ
Carga total de Gate 210nC
Tiempo de retardo de apagado 110ns
Tiempo de retardo de encendido 18ns
Tiempo de recuperación inversa 570ns
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