Fabricante: STMicroelectrónica
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS: Detalles
Tecnología: Y
Estilo de montaje: A través del agujero
Paquete / Cubierta: TO-220-3 F Plastico
Canal N
Número de canales: 1 canal
Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 75 voltios
Id – Corriente de drenaje continua: 80 A
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 11 mOhmios
Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 20V, + 20V
Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: 2V
Qg – Carga de puerta: 117 nC
Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 175 C
Dp – Disipación de potencia : 300W
Modo canal: Realce
Nombre comercial: tirafet
Serie: STP75NF75
Tiempo de caída: 30 ns
Altura: 9,15 milímetros
Longitud: 10,4 milímetros
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 100 ns
+57 300 1539720
Lun. a Vie.
8:00am – 5:30pm
Sábados.
8:30am – 1:00pm
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